奧林巴斯OLYMPUS相控陣探傷儀

簡(jiǎn)要描述：OmniScan X3 64奧林巴斯OLYMPUS相控陣探傷儀
OmniScan X3 64相控陣探傷儀沿用了已經(jīng)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證、堅(jiān)固耐用、輕盈便攜的OmniScan X3外殼，其強(qiáng)大的聚焦功能得到了更大的晶片孔徑容量的支持，可使您充分利用64晶片相控陣探頭，進(jìn)行128晶片孔徑的TFM檢測(cè)。您可以利用這款儀器的增強(qiáng)性能，迎接檢測(cè)較厚、衰減性較強(qiáng)材料的挑戰(zhàn)，并提升您的潛力，為更廣泛的應(yīng)用開發(fā)新程序。

產(chǎn)品型號(hào)：OmniScan X3 64
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時(shí)間：2024-08-27
訪問量：2516

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奧林巴斯OLYMPUS

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詳細(xì)介紹

品牌	OLYMPUS/奧林巴斯	價(jià)格區(qū)間	面議
儀器種類	數(shù)字式	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子

OmniScan X3 64奧林巴斯OLYMPUS相控陣探傷儀

提前確認(rèn)TFM（全聚焦方式）聲波覆蓋范圍

聲學(xué)影響圖（AIM）工具可以基于您的TFM（全聚焦方式）模式、探頭、設(shè)置和模擬反射體，即時(shí)提供靈敏度的可視化模型。

聲學(xué)影響圖（AIM）工具消除了掃查計(jì)劃創(chuàng)建過程中的猜測(cè)因素，因?yàn)槠聊簧蠒?huì)顯示某個(gè)聲波組（TFM模式）的效果圖，使您看到靈敏度消失的位置，并對(duì)掃查計(jì)劃進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。

最多顯示4種TFM模式，方便了缺陷的解讀和定量

在同一個(gè)檢測(cè)中使用不同的TFM（全聚焦方式）模式（聲波組），使您更有希望探測(cè)到方向不規(guī)則的缺陷指示。OmniScan X3探傷儀可以最多同時(shí)顯示4種模式的全聚焦方式（TFM）圖像，從而使您看到從不同角度生成的圖像。來自每種模式的響應(yīng)和特征，如：端部衍射、圓角凹陷和缺陷剖面，可被綜合在一起進(jìn)行分析，從而可以確認(rèn)缺陷類型，并提高缺陷定量性能。

使用內(nèi)置工具簡(jiǎn)化您的NDT（無(wú)損檢測(cè)）工作流程

1. 掃查計(jì)劃

執(zhí)行步驟 1、2、3，在儀器上設(shè)置您的檢測(cè)

2. 校準(zhǔn)

使用內(nèi)置工具進(jìn)行*合規(guī)的校準(zhǔn)

3. 采集

在檢測(cè)過程中查看實(shí)時(shí)掃查結(jié)果

4. 分析

快速而自信地解讀您的數(shù)據(jù)

實(shí)時(shí)TFM（全聚焦方式）包絡(luò)處理

簡(jiǎn)化了缺陷的表征和定量

儀器*的包絡(luò)處理功能可以生成高分辨率的TFM（全聚焦方式）圖像。圖中的信號(hào)指示干凈、清晰，在背景噪聲的襯托下，顯得更加鮮明突出。最多可顯示4種TFM（全聚焦方式）圖像，有助于缺陷的解讀和定量。

當(dāng)精確度至關(guān)重要時(shí)

在更低的頻率和更寬的帶寬上清晰地觀察

與32通道型號(hào)相比，64通道型號(hào)可在更寬的帶寬上為更高和更低的頻率提供更高的信噪比（SNR）。
OmniScan X3 64探傷儀能夠使用更大的脈沖寬度驅(qū)動(dòng)更低的頻率，可為復(fù)合材料等衰減性較強(qiáng)的材料提供更好的信號(hào)分辨率。
在C掃描中，64通道型號(hào)的更高分辨率和信噪比能夠更精細(xì)地顯示更多的特征，可使您在需要時(shí)獲得更高的精確度。

OmniScan X3 64奧林巴斯OLYMPUS相控陣探傷儀技術(shù)參數(shù)：

型號(hào)	OmniScan X3			OmniScan X3 64
配置	16:64PR	16:128PR	32:128PR	64:128PR
應(yīng)用	腐蝕監(jiān)測(cè)、管道完整性、手動(dòng)PA/TFM、TOFD、小型管道	多組高效薄焊縫、PA & TOFD、風(fēng)力葉片制造、復(fù)合材料	多組高效厚焊縫、PA & TOFD、奧氏體/CRA/異種金屬焊縫、TFM	多組高效極厚焊縫、PA和TOFD、奧氏體/CRA/異種金屬焊縫、高效TFM、高溫氫致腐蝕（HTHA）、高級(jí)應(yīng)用開發(fā)
脈沖發(fā)生器（PA）	16	16	32	64
接收器	64	128	128	128
TFM晶片	32	32	64	128
UT通道（P/R）	2	2	2	2
組	最多2個(gè)（PA、UT/TOFD、TFM）或2個(gè)PA帶1個(gè)TOFD	總共最多8個(gè) TFM：最多4個(gè)	總共最多8個(gè) TFM：最多4個(gè)	總共最多8個(gè) TFM：最多4個(gè)
帶寬頻率	0.5 ～ 18 MHz			0.2 MHz ～ 26.5 MHz
最大脈沖寬度（PA）	500 ns			1000 ns
電壓PA	40 V、80 V和115 V / 單極負(fù)極			10 Vpp、20 Vpp、40 Vpp、80 Vpp、120 Vpp和160 Vpp / 雙極方波脈沖
內(nèi)部SSD存儲(chǔ)容量	64 GB			1 TB
所有其他功能和規(guī)格	*相同

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